微雪电子

MOSFET IRF830 (Vishay)

IRF830 (Vishay)

芯片信息

型号 封装 在线定购
IRF830（查看） TO-220
IRF830A（查看） TO-220
IRF830AL（查看） TO-262
IRF830AS（查看） TO-263
IRF830S（查看） TO-263

引脚布局

（点击图片看大图）
技术资料—— IRF830 (Vishay) PDF技术资料

IRF830 概述


　　IRF830属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF830为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。
　　TO-220封装的IRF830普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF830得到业内的普遍认可。D2PAK封装的IRF830适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。IRF830的D2PAK封装可适应高强度电流的应用。
IRF830 参数
IRF830 基本参数
VDS   500 V
ID @25℃   4.5 A
RDS(on)   1.5 mΩ
IRF830 其他特性
FET极性   N型沟道
Qg (Max.)(nC)   38 nC
IRF830 封装与引脚
TO-220, TO-263, TO-262

IRF830 特性

  • 动态dv/dt率
  • 可恢复性雪崩测定
  • 快速转换速率
  • 并行简易
  • 仅需简单驱动
  • 贴片安装 - IRF830S、IRF830AS
  • 可选卷带包装 - IRF830S、IRF830AS
  • 无铅环保